在掩模和硅片之间形成一层薄薄的气垫，使两者不再直接接触，提高了良率也提升了掩膜的寿命，这大大的降低了成本。
但气垫的存在，又会影响成像的精度，所以g线光源的最高制程也只能达到0.35微米工艺。
而g线光源的下一代是波长365nm的i线光源，其最高制程工艺可以达到0.25微米。
再往下发展，就必须采用第三代光源，即波长248nm的krf（氟化氪）准分子激光，它能够实现130nm的制程。
至于第四代光源，则是目前最先进的193nm arf（氟化氩）准分子激光。
按照林本坚的理论，这种光源通过浸入式技术，理论上可以将制程推进到22nm，甚至在孙元成根据david mann公司的重复曝光理论推测，还能更低。
章忠谋耸了耸肩，语气中带着浓浓的不屑，“从g线到i线，我们用了整整16年的时间。
即便华国存在所谓的后发优势，他们也不可能在短短半年内就达到那样的技术水平。
况且，半导体产业是一个高度复杂的综合性产业，制造一颗芯片需要经过1000多个不同的流程，整个生产系统由上千个不同的部件组成，仅一个光刻机就包含了8万多个精密零件。
而这些零部件，他们大半都没法自产，到时候随便哪个环节卡他们一下，他们的光刻设备就出不来的。
所以，尚义，你说，在如此短的时间内，他们真的有可能达到0.35微米的工艺水平吗？
只要他们没法在我投产之前，也就是一年后达到0.35微米的水平，且成本和我一致，那他们就没有机会了。
因为这是一个生意！
市场没道理放弃便宜的产品而去使用贵的道理，这完全不符合商业逻辑。
而我在国内建厂，拉着地方机关引进了国有资本，那就算讲政治逻辑，我们也不会被剔除出去的。
说实话，我还希望倒是他们讲政治的，我们有国资在里面，炎黄集团是民营，我看这局面他卿云又能怎么破！”
章忠谋的话语中透露出强烈的自信，让江尚义也不得不点头承认，他的担心是多余的。
“所以我们牢牢把控住0.35微米这个关键节点。
也就是说，不向他们提供248nm krf氟化氪准分子激光光刻技术和配套工艺技术，我们只在内陆生产0.35微米制程以上的产品。
那么