第585章 国产光刻机崛起的希望！高通？小丑罢了！
euv光源，即13.5纳米波长的极深紫外光，是实现「超精密电路雕刻」的核心，直接决定了晶片的最小线宽、集成度与性能上限。
只需一次曝光，就能把掩膜版上的电路图，复制到晶圆表层。
而传统的duv光刻机，需通过「多重曝光」，才能形成晶片所需的精细线路。
具体来说，就是要对同一区域的光刻胶进行2到4次光刻与显影操作，最终效果才相当于 euv光刻机一次曝光所能达到的水平。
梁劲松从格罗方德、联华电子手里购买的nxt 1950i duv光刻机，虽然也能生产14纳米、乃至10纳米的晶片，但必须利用多重曝光工艺。
然而，多次曝光会导致光刻步骤增加，生产周期变长、良品率骤减、成本迅速上升，至少要高个30%到50%。
这也是为何阿斯麦只要不向华国的fab工厂出售euv光刻机，便能牢牢卡住整个半导体行业脖子的主要原因。
即便掌握了其他关键技术，也会因制造成本居高不下，从而失去商业价值与市场竞争力。
就拿同一款晶片产品来说，高通以20美币的价格出售仍有毛利可赚，但国内晶片制造商若同样以20美币的价格售卖，反而要亏损三成。
面对这样的成本与盈利差距，采购方自然不愿买单。
陈延森提出的磁约束放电激发方式，则放弃了雷射轰击液态金属锡、激发极深紫外光的方案，转而采用在强磁场约束下，通过高功率脉冲放电，在金属锡靶表面产生稳定、高亮度等离子体的技术路径。
优点显而易见，固态靶材加高压放电，机械结构更简单，稳定性更高。
这是一项差异化极大的技术，可以绕过大量现有的lpp专利壁垒墙。
「辛苦了，继续在磁约束放电激发技术的基础上，深耕延伸专利，以防欧美的半导体公司使用微创新的手段，反过来限制我们。」
陈延森在听完林南的汇报后，当即叮嘱道。
高通为什幺栽了？
还不是他在射频、通信解码等技术上，设置了全新的专利壁垒，把高通的出口给堵住了。
要不然，保罗·雅各布能心甘情愿地与天工科技签订专利交叉授权协议？
想都别想！
自己走过的路，当然要堵死！
他可不想