，他们构建的这套理论，描述了离子在固体中分布和停留，完全可以看作是这个领域的标准模型。
它描述了高能离子束轰击硅晶体时，离子在材料中的分布规律。理论的核心是离子能量损失的两种机制，也就是核阻止和电子阻止。
黄通过求传输方程，给出了离子在材料中的深度分布，它认为这样的分布近似于高斯分布。
哦天哪！他甚至还根据离子种类和能量，试图去精确计算离子平均的穿透深度和分布的方差。」
法尔特的手指在论文上划过，指向一幅高斯分布曲线，
「你们看这里，他们展示了掺杂剂在硅晶体中的深度分布，并用霍尔效应测量验证了结果，模拟与实验数据高度吻合。
只是受限于实验设备，他们的实验做的比较粗糙，最终离子注入的效果也不够好。
但他们的实验结果虽然不好，但实验结果和计算模拟的结果非常吻合！
不愧是黄，在理论物理上的造诣，有着大师级水准。」
赫尔曼问道：「法尔特教授，有没有可能华国人伪造了实验数据？」
法尔特摇头道：「没有必要，因为实验我们能够复现。
他们用来模拟的实验结果用的就是基础设备，又不是二次离子质谱技术。
总之如果快的话，我们这几天就能模拟一个结果出来，看和华国的模型结果是否一致。
如果验证成功的话，那幺可以证明华国在理论基础、模型构建和模拟计算上确实有自己的一套。」
赫尔曼问道：「所以，法尔特教授，您的意思是我们应该要和华国合作？」
法尔特点头：「当然。」
东德的德勒斯登将在未来慢慢成长为整个苏俄阵营的微电子和半导体工业中心。
在八十年底的时候，拥有超过四万名雇员。
而其中最大的企业是生产dram，也就是存储晶片的zmdi。
东德zmd u61000，1mb存储量，cmos工艺，东德冷战末期生产的最高端内存晶片。
什幺水平，大致和日立、nec 1984年同等水平。
不能算强，但绝不算弱。
而现在，得益于ogas计划，东德已经提前往半导体领域投入资源了。
如果不是因为这个原因，他们压根不可能会派魏斯和穆勒前往华国，只为确认华国的技术到底到了哪个地步。
因为如果