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第110章 高主任面前,怎么我们都是问题?(3k)(3 / 4)

是像你们使用的方法一样在硅化石墨表面有一层较厚的碳化硅层,这层较厚的碳化硅层,应该就是热裂情况严重的元凶。」

这句话,高振东也是有依据的,国产srm材料的公开论文中,就提到过仿制c-17δ过程中,解决的最大问题就是渗硅层过厚而产生的热裂问题,只是没有说用的什幺手段。

在高振东看来,殊途同归,自己提的这个方案,应该也是能解决这个问题的。

段工一听大喜,行家一出手,就知有没有,这几句话句句打在要害上,一听真有新的工艺方法,连忙追问:「高主任,那你说的这个液相渗硅法,具体是怎幺弄?」

高振东一点不藏私:「碳化硅和硅配比3:2作为硅源原料,反应温度1600c,真空环境下反应0.5h,你看,是不是很简单?」

此话一出,段工差点没一笔杆子扔过去,对对对,你说得都对,是很简单。

不过想想,这个办法真的是很简单啊,甚至都想不出有什幺能比这个更简单的了,如果能有效,那可就太好了,成本是真的低。

高振东没有给段工扔笔杆子的机会,继续说道:「这样,顺便能解决你们的第二个问题,氧化铝的使用问题。」

「氧化铝?」

「没错,氧化铝虽然理论上能细化 sic晶粒,使碳化硅层更加致密,但实际上,氧化铝过量时反应会产生大量气体,这些气体逸出的时候,会破坏碳化硅层的致密性,对硅化石墨的性能产生不利影响,这也会降低你们成品的性能。」

这下碳研院的人是明白这高主任是个真正的高手,碳研院其他技术人员双眼闪着小星星,看着两位大佬交流,运笔如飞。

高振东接下来的话,让碳研院的人有点很不好意思:「接下来,我再说第三个问题。」

啊,我们的技术这幺多问题吗?哪儿哪儿都是问题,这都第三个了,惭愧惭愧啊。

段工一脸惭愧:「高主任,您继续说。」

高振东指着记录上的碳颗粒参数道:「我建议你们把碳颗粒的直径提高一点,提到1.x毫米,同时,不要用紧致的高密度碳颗粒,用疏松一点的。」

碳研院的一堆技术员心里有疑问,但是不敢说话,还是段工问了出来:「这不是降低致密性,降低强度了吗?」

高振东摇摇头:「并不是,你要考虑到液相渗硅法是在石墨内部生成硅化石墨,这些疏松的空隙,正好是碳化硅最好的容身之处,这有利于硅化石墨在

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