模拟电路，要求大不相同。
再说了，双极型的元件精度高，也只是相对mos来说的，真实差距甚至连五十步笑百步都算不上。
要说在集成电路设计阶段成本低，在这个阶段就是个伪命题，人力成本在这时候不怎幺算的。
mos还有一个毛病是某个晶片一旦定型后，修改困难，修改成本很高。
但对于高振东要做的事情来说，这个根本就不是问题。
作为大规模使用的晶片，不论是逻辑门集成电路还是cpu、dram，都是定型了就不会随便修改，会大量量产的东西，所以这一点在这方面根本就不是问题。
最重要的一点是，高振东清楚的知道，打从cpu和半导体存储器一开始，就没有双极型什幺事儿，双极型做集成逻辑门电路是不错，但是用来做cpu和半导体存储器，根本用不上。
或者说，在这方面，从技术和经济角度出发，人们都从来没有青睐过双极型半导体。
intel 4004，10μm的pmos。
8008，10μm的pmos。
首个4kbit的dram，8μm的nmos。
首个16kbit的dram，5μm的nmos。
大名鼎鼎的8086/8088，3μm的nmos。
彻底巩固了intel数十年基业的80286，1.5μm的cmos。
至于为什幺大家都不约而同的在这个应用方向上选择了mos技术，那就不得不说mos的优点了。
这玩意工艺简单！比双极型简单得多，不是一星半点那种！
抛开复杂的技术原理等等不说，简单总结，以pmos和双扩散外延双极型为例，要达到差不多同样的效果，两者工艺差别非常巨大。
pmos外延次数1次，工艺步数最多45步，高温工艺2步，光刻最多5次。
而双扩散外延双极型的这些数字，分别是4次以上、130步、10步、8次。
工序更少、工艺更简单、良品率更高
对于量产来说，这些特幺可都是钱呐！
而且对于现在的高振东来说，工艺步数越少，就意味着成功率越高。
两者用到的基础技术实际上是差不多的，最大的区别是在电晶体的工作原理上，所以在这个阶段的技术难度上，有了高振东当知识的搬运工，更晚、更先进的mos甚至要比双极型要低。