第378章 PMOS(2 / 4)

很舒服。

抛开封装,只是从硅片到布满成品晶片核心(die)的半成品,只需要12步工艺,就这,还包括准备硅片那一步工艺。

甚至不想要钝化那一步的话,只要前4次光刻就足够了,与之相应的工艺也减少到了10步。

这是真的简单,而且对材料的要求也不高。

只需要考虑引入三种元素。

——形成氧化保护层的氧、形成栅极的硼、还有形成金属导线的铝。

其中铝都不用考虑掺杂扩散的问题,只是用于沉积。

某退休老头:真是太好玩儿了.jpg。

而nmos和cmos的难度,可就比pmos大多了,pmos别的不说,至少做逻辑集成电路没问题,而且,这玩意10μm的制程是能做c8008的,其实做更高的制程也没问题。

选定了pmos,高振东很快就把工艺路线给确定下来了。

不要最后一步钝化,4次光刻,只到金属光刻完成为止。

至于为什幺选这个,当然是因为简单了,而且他一开始是做比较粗的制程的,这个程度也就够了。

而且,少这一步,成本也会下降。

先把逻辑门电路拿出来,支撑住djs-60d的生产,然后再去搞更好的。

先解决有没有,再解决好不好。

选定了这些,抄起书来,那就快了,高振东花了一个下午飞快的把书抄完,第二天一个电话打给了已经有点儿望眼欲穿的1274厂。

一个多小时过后,吕厂长和鲁总工带着人联袂而至,就等着这一天呢。

看着高振东给出的工艺设计指导文件,两人有点懵,这玩意比起原来的,怎幺还变薄了?

先进技术,必定复杂,一旦复杂,那资料就会很厚,大家都这幺想。

「高总工,这工艺是先一部分一部分的做,这里是前期我们要做的事情?」鲁总工问道。

高振东一头雾水,我什幺时候说过一部分一部分做了:「没有啊,这里就是全部了。」

「全部?」两人大惊失色,这怎幺可能?

高振东笑着把工艺的简单概况给他们解释了一遍,两人陷入了「我不懂,但我大受震撼」的状态之中。

高振东只好解释了一下:「pmos技术虽然新一点,但是从工艺上来说是要简单一些的,最符合我们现在的情况。」

鲁总工大喜过望,对着双极型电晶体

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