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第1620章 从40nm到27nm的跨越(4 / 4)

令他心情大好:

「所以常院士,刚才你提到华芯国际能以mpp工艺大批量生产新一代的7nm晶片,关键就在于这个1.80的na值?」

常浩南点头:「正是。」

接着,又从旁边拿过一张表格递给对方:

「1.80的数值孔径,相当于我们把193nm duv光源的等效波长压缩到了107.22nm,对比na值1.35的老体系,相当于把特征尺寸的理论极限从40nm一举推进到27nm左右!」

栾文杰的视线表格上飞速移动,最终找到了27nm对应的节点尺寸——

三星的5nm,或tsmc的7nm++,或英特尔的10nm。

总之,已经是目前最强的一档。

是过去一般认为,只有euv光刻机才能够涉足的领域。

看到对方的视线已经不再移动,常浩南终于给出了阶段性的结论:

「这个能力,足以覆盖当前tsmc、三星等厂商定义的7nm,乃至未来3-5年内可能出现的更先进节点的全部生产需求!而且,都是依靠单次曝光工艺就能稳定实现的。」

「更重要的是,arf-1800光刻机的主体架构,除了这个革命性的物镜组以外,其余光源系统、精密工件台、掩模台以及对准器等核心子系统,都沿用了arf-1500平台上的成熟设计,最大程度地保证了设备的可靠性用户的转产速度。」

说到这里他稍作停顿,让栾文杰有些缓冲的时间。

之后,又掷地有声地强调:

「这意味着,一旦设备交付,华芯国际能够在最短时间内完成产线切换和产能爬坡,无需漫长的调试和适应期,供应链的每一个环节,从材料、设计到制造,都牢牢掌握在我们自己手中,稳定、安全、可控!」

(本章完)

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