到硅片表面上，以较大的动量进行物理刻蚀，同时它们还与薄膜表面发生强烈的化学反应，产生化学刻蚀作用。
选择合适的气体组分，不仅可以获得理想的刻蚀选择性和速度，还可以使活性基团的寿命短，这就有效地抑制了因这些基团在薄膜表面附近的扩散所能造成的侧向反应，大大提高了刻蚀的各向异性特性。
反应离子刻蚀也是超大规模集成电路工艺中很有发展前景的一种刻蚀方法。
王东来当时在构思方案的时候，原本是想着弄出一份离子蚀刻方案就行了，但是在【大脑超频】的状态下，灵感无数，便研究出了一份全新的反应离子刻蚀方案。
在设计好之后，便发给了陈凌岳，让他在实验室里进行验证。
经过差不多两天的设备调校，今天便是验证的时间了。
操作人员再三检查无误之后，陈凌岳便下令开始验证起来。
“嗡！”
机器轻轻地嗡鸣地响了起来，顿时就见到仪器开始运动起来。
这一刻，尹之耀恨不得把自己的眼睛摘下来放到上面去看，免得错过任何一点关键信息。
不得不说，在面对这方面的时候，尹之耀表现出来的热爱，极为真诚和热烈。
王东来和陈凌岳等人见到尹之耀这样的表现，心里也不禁对尹之耀生出了一丝钦佩。
毕竟这么大岁数的人了，还能对技术保持这样的心态，属实是很不错了。
单单只是一个刻蚀流程，其实并不需要耗费多长时间。
所以，很快仪器就停了下来。
而尹之耀则是第一时间，想要进去看看结果如何，便看向王东来准备出声征求意见。
不等尹之耀说出口，王东来便点了点头，说道：“尹总是这方面的专家，可以检查一下！”
王东来充满自信，丝毫不怕会出什么问题。
尹之耀也不客气，点了点头，立即就走了进去，开始检查起来。
而越看，尹之耀越是惊叹。
作为沉浸这一行几十年的老专家，在他手上其实也研发出来过不少先进的刻蚀方案。
按理来说，其实面对王东来设计出来的这一份刻蚀方案，不应该这么激动和看重。
但实际上并不是这样。
因为一个很简单的道理，技术越往后发展，所受到的掣肘也就越大，需要避开的东西也就越多。
刻蚀方案已经出现过了那么多种，后来人